TP65H050WS / TP65H035WS Üçüncü Nəsil (Gen III) Qallium Nitrid (GaN) Sahə Effektli Transistorlar (FETs)

Transform-un GaN FET-ləri elektromaqnit müdaxiləsini (EMI) azaltmaq və səs-küy toxunulmazlığını artıraraq daha sakit keçid xüsusiyyətinə malikdir

Transformun TP65H050WS və TP65H035WS Gen III 650 V GaN FETləridir. Onlar daha aşağı EMI, qapının səs-küy toxunulmazlığını və dövrə tətbiqlərində daha çox baş otağını verirlər. 50 mΩ TP65H050WS və 35 mΩ TP65H035WS standart TO-247 paketlərində mövcuddur.

MOSFET və dizayn dəyişiklikləri Gen III qurğularına, mənfi bir qapı sürücüsünün ehtiyacını aradan qaldıran 2.1 V (Gen II) səviyyəsindən 4 V-ə qədər artan bir eşik gərginliyini (səs-küy toxunulmazlığı) təmin etməyə imkan verir. Qapıların etibarlılığı Gen II-dən 11% -ə qədər ± 20 V-ə qədər artdı. Bu səssiz bir kommutasiya ilə nəticələnir və platforma sadə xarici dövrə ilə daha yüksək cərəyan səviyyələrində performans inkişafını təmin edir.

Seasonic Electronics Company-nin 1600T, bu yüksək gərginlikli GaN FET-lərini batareya doldurucularında (e-skuterlər, sənaye və daha çox), PC gücündə, serverlərdə 99% güc amilinin düzəldilməsində (PFC) səmərəliliyi gətirmək üçün istifadə edən 1600 Vt, körpüsüz totem-dirək platformadır. , və oyun bazarları. Bu FET-lərin silikon əsaslı platforma 1600T ilə istifadəsinin faydaları artan səmərəliliyi 2% və güc sıxlığını 20% artırmaqdır.

1600T platformasında sərt və yumşaq ötürücü dövrələrdə artan səmərəliliyi əldə etmək və enerji sisteminin məhsullarını dizayn edərkən istifadəçilərə seçim etmək üçün Transphorm TP65H035WS istifadə olunur. Dizaynları asanlaşdırmaq üçün tez-tez istifadə olunan qapı sürücüsü olan TP65H035WS cüt.